設(shè)備：高溫反偏測試系統(tǒng)HTXB GR3-D

廠商：閱芯科技

用途：用于功率半導(dǎo)體器件的環(huán)境老化試驗(yàn)，比如 Si/SiC/GaN 材料的 IGBT/DIODE/MOSFET/HEMT/BJT/SCR 等器件的 HTRB 試驗(yàn)。HTRB是在高溫下加上反向偏壓的工作模式，由于高溫下漏電流增加，質(zhì)量差的器件就會失效，以此評估產(chǎn)品的可靠性。

測試標(biāo)準(zhǔn)：GJB128A-1997 方法 1038 條件A；MIL-STD-750F Method 1038 Test condition A

技術(shù)指標(biāo)：

l  最大工作電壓2000V

l  測試溫度：-20℃-180℃

l  I_CES檢測范圍：0-98mA，分辨率0.1μA

• 上一篇：功率循環(huán)
• 下一篇：高溫柵偏